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303系列单晶硅差压变送器

 ·技术优势
中心传感单元采用全球领先高精度硅技术,铂金级精度 ±0.05% 
专利双过载保护膜片设计,单向过压最高可达40MPa 
优异的静压性能,远非同场合电容式产品所能媲比,静压误差最优可控制在±0.05%/10MPa以内 
最高100:1的量程比调节 
EMC符合GB/T 18268.1-2008
 
  ·技术参数

 

参数

最小

最大

测量范围(未迁移)

400Pa

2000kPa

量程比

10:1

100:1

环境温度

-40℃

+85℃

温度影响量

-20℃~65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span
±0.04%×Span(TD=1)/10℃
-40℃~-20℃ & 65℃~85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span

准确度等级

±0.05% / ±0.1%

长期漂移

±0.1%×Span/ 3年

组态属性

线性/ 平方根/ 自由编程

重量

3.3kg

总线标准

4~20mA/HART

 



 

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